Мобильная память от Samsung
Компания Samsung представила улучшенный тип оперативной памяти для мобильных устройств. Новая микросхема DRAM обладает так званным «широким интерфейсом ввода/вывода», который позволяет значительно повысить скорость работы такой памяти.
Чипы, представленные Samsung, разрабатываются по техпроцессу 50 нанометров и имеют емкость 1 гбит. Но, основной их особенностью является скорость работы. Они обеспечивают пропускную способность 12,8 Гб/с, что в четыре раза больше чем у самых быстрых существующих мобильных DRAM чипов.
Получить такое повышения пропускной способности удалось благодаря увеличению числа контактов для ввода и вывода данных, в новых чипах их 512. Для сравнения: количество таких контактов в существующих микросхемах мобильной памяти DRAM равно всего 32.
По мнению разработчиков, первые смартфоны и планшетные компьютеры, использующие новые DRAM микросхемы, появятся в 2013 году.
my-strongdc.ru рекомендует: Варез портал rsload.net предлагает огромное количество программного обеспечения. Например, здесь вы сможете скачать последнюю версию Everest ultimate edition, быстро и абсолютно бесплатно.